Dd127d транзистор параметры цоколевка

Транзистор TIP127

Согласно своим характеристикам, транзистор TIP127 относится к мощным кремниевым p-n-p изделиям. Он является составным, биполярным, выполненным по схеме Дарлингтона. Может использоваться в схемах управления, где не важна высокая скорость переключения, но требуется большая мощность. Также применяется в системах управления импульсным двигателем и в усилителях общего использования.

Распиновка

Цоколевка у TIP127 следующая. Большинство фирм производителей изготавливают данный транзистор в корпусе ТО-220 с жесткими выводами. Материал корпуса пластмасса. Первый вывод слева, если смотреть со стороны маркировки является базой, второй коллектором, третий эмиттером. Коллектором также является металлическое основание.

Но есть и исключения из правил. Так, компания Unisonic Technologies выпускает данный прибор в другом пластовом корпусе ТО-126. Первая ножка рассматриваемого устройства – эмиттер, вторая – коллектор, третья – база.

Маркировка

На лицевой стороне корпуса транзистора наносится маркировка. На ней расположены такие сведения:

  • название устройства (TIP127);
  • буква G означает, что прибор не содержит свинца;
  • А – место сборки;
  • год выпуска;
  • рабочая неделя.

Технические характеристики

Максимальные значения параметров транзистора TIP127 компании-производители обычно указывают в самом начале технической документации. Они измеряются при температуре +25 О С. Рабочие значения должны быть меньше предельно допустимых на 20%. Рассмотрим их подробнее:

  • Максимальное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкбmax) = — 100 В;
  • Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCEO (Uкэmax) = -100 В;
  • Наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой VEBO (Uэбmax) = -5 В;
  • Максимально допустимый постоянный ток коллектора IC (Iкmax) = -5 А;
  • Наибольший допустимый кратковременный ток коллектора ICP (Iк пик ) = -8 А;
  • Предельно допустимый постоянный ток базы IВ (IБmax)
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РСкmax) = 65 Вт;
  • Диапазон рабочих температур Tstg = -65 … 150 о С;
  • Максимальная температура перехода Tj = 150 о С.

Электрические характеристики

В таблице электрических параметров имеется специальный столбец, в котором приведены значения, при которых производитель тестировал устройства. Измерение производится при той же температуре, что и при определении максимальных параметров.

Тепловые параметры

Тепловые характеристики полупроводниковых элементов имеют большое значение. Особенно в конструкциях, где транзистор должен рассеивать значительную мощность. Для подобных схем правильный выбор радиатора имеет решающее значение. Его применение позволяет добиться наилучших результатов в производительности и сгладить негативное влияние от нагрева.

Необходимо помнит, что без охлаждения, вместе с увеличением температуры, рассеиваемая мощность устройства резко падает. Практически все производители наглядно представляют эти изменения в даташит в виде графиков.

Транзистор TIP127 имеет много зарубежных аналогов. Приведем устройства, которые имеют такой же корпус, расположение выводов, электрические и функциональные характеристики: 2N6035, 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2SB673, 2SB791, ECG26, TIP125, TIP126. На данные приборы можно менять без внесения изменений в электрическую схему.

Существуют похожие транзисторы, которыми можно заменить рассматриваемый, но некоторые электрические параметры могут отличаться: 2SB1024, 2SB676, BD332, BD334, BDT60B, BDW24C, BDW64C, KSB601, KTB1423, NSP702, TIP627.

Имеется также отечественный аналог TIP127 — КТ8115А.

Рекомендуемая комплементарная пара – TIP122.

Производители

Занимаются производством рассматриваемого транзистора такие зарубежные фирмы: STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Foshan Blue Rocket Electronics, ON Semiconductor, Foshan Blue Rocket Electronics, Continental Device India Limited, TRANSYS Electronics Limited, JILIN SINO-MICROELECTRONICS, Savantic, Tiger Electronic, TAITRON Components Incorporated, Central Semiconductor, Power Innovations, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, TAI-SAW TECHNOLOGY, KEC(Korea Electronics), Wing Shing Computer Components, New Jersey Semi-Conductor Products, SemiHow, Motorola, Comset Semiconductor, Boca Semiconductor Corporation, Nanjing International Group, Weitron Technology, First Components International, Rectron Semiconductor, Mospec Semiconductor. Кликнув по ссылке, можно скачать datasheet tip127 компании-изготовителя.

На Российском рынке наиболее распространены транзисторы STMicroelectronics.

The Datasheet Archive

Top Results (6)

DD 127 D transistor Datasheets Context Search

DD 127 D TRANSISTOR

Abstract: transistor DD 127 D DD 127 transistor SVM7962 1PI12 SVM7963 SVM7960
Text: d e (4) IO H 4 OUT2, bipolar transistor V be = 0-7 V dd «£ 1.5V, w hen externa! reference , installation of SVM 7960C Series into microcomputer-applied equipment. I FEATURES ·M e lo d y ROM capacity. 127 , BLOCK DIAGRAM PIN CONFIGU RATION D (P-16pin/SOP1-16Pin OSC1C OSC2[ 2 16 ] V dd 15 ]OUT2 14 ]OUT1 , perform ance, either by binary or terminal selection, at S E L 1 /S E L 2 V dd = 1 -5 V V d d 0.6 , transistor V il = V s s V d d = 1 .5 V V d d = 1 .2 V V d d = 1 .5 V A1 A V b e = 0 .7 V During

DD 127 D transistor

Abstract: No abstract text available
Text: transistor V b e = 0 .7 V V d d = 1 .2 V 6 .0 20 60 PA V d d = 1 .5 V — — 1 .5 , ) MT PI V |H 3 = V d D l|H3 «1 » input current (4) V | hi- V dd , during p erform ance, eith er , bol C o n d itio n M in. M ax. 3 .0 V dd T yp. 5 .0 5 .5 V V dd V U , tones from a preprogrammed ROM. The ROM has a capacity of 127 words and can store up to 4 melodies from , FEATURES ГўВЂВўM elody ROM capacity. 127 words ГўВЂВў U p to 4 melodies (3 if it is

Читать еще:  Аксессуары для компрессоров воздушных

Abstract: DD 127 D TRANSISTOR CC4511 F4511
Text: ) MECHANICAL DATA mm DIM. MIN. a1 B b b1 D E e e3 F I L Z 3.3 1.27 8.5 2.54 17.78 7.1 5.1 0.130 0.050 0.51 , ) MECHANICAL DATA mm MIN. A a1 a2 b b1 C c1 D E e e3 F G L M S 3.8 4.6 0.5 9.8 5.8 1.27 8.89 4.0 5.3 1.27 0.62 , constructed with COS/MOS logic and n-p-n bipolar transistor output devices on a single monolithic structure , multiplexing circuitry is used. November 1996 B c L T B L 1[ z( s[ !1 6V D 0 ]t5 ]i4 ]l3 ]l2 ]l1 ]’j ]9 f a a b c d В« L E /5 T R 0 B Esj D A ВҐ S S fi| 7f b[ 1/16 HCC/HFC4511 B FUNCTIONAL

2012 — DD 127 D transistor

Abstract: 2N6804 transistor DD 127 D US/transistor DD 127 D
Text: 7.5 , V DD = -35 V Rinse time I D = -11 A, V GS = -10 V, R G = 7.5 , V DD = -35 V Turn-off delay time I D = -11 A, V GS = -10 V, R G = 7.5 , V DD = -35 V Fall time I D = -11 A, V GS = -10 V, R G = 7.5 , V DD = -35 V Diode Reverse Recovery Time di/dt 100 A/Вµs, V DD -50 V, I F = -11 A Symbol t d (on) tr , MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/562 DESCRIPTION This 2N6804 switching transistor is military , transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both

DD 127 D TRANSISTOR

Abstract: MOTOR DRIVER VCR BA6200AL vcr drum motor DD 127 transistor
Text: ROHN CORP TГџ 3-Phase DD Motor Driver В» e | 7 0 2 0 ^ O D flfll 1 | T — S ‘& ‘/ S ‘T t S BA6200AL Dimensions (Unit: mm) lU lH f T I The BA6200AL is a monolithic, 3-phase DD , . 2 . 54В± 0.5 1.27 В± 0.5 0 .6 В± 0.1 2 . 54+ 0.5 1.27 В± 0.5 Fig. 1 Block Diagram Features 1. Integrates on a single chip all func tions required for 3-phase DD motor driving. 2. Driving current feedback , driver VCR capstan motor driver DD motor driver for tape decks, record players, etc. Floppy disk drives

2001 — HCF4007UBE

Abstract: HCF4007UBEY HCF4007UB HCF4007UBM1 HCF4007UM013TR
Text: transistors. The transistor elements are accessible through the package terminals to DIP SOP ORDER , P2, SP3 13, 1 D P1, DP2 8, 5 DN1, DN2 4, 9 SN2, SN3 12 DN/P3 6, 3, 10 , n-channel transistor drains Gate connections to n-channel and p-channel of the three transistor pairs ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol V DD Parameter Unit -0.5 to +22 Supply Voltage Value V , mW mW Top Power Dissipation per Package Power Dissipation per Output Transistor Operating

1996 — CD4098

Abstract: MC14538B cx 770 104 K capacitor MC14528B MC14538B/BEAJC MC14XXXBCP MC14XXXBDW mc4538A mc4538
Text: Derating: Plastic «P and D /DW» Packages: В­ 7.0 mW/_C From 65_C To 125_C Ceramic «L» Packages: В­ 12 mW/_C , COMPONENTS. VDD = PIN 16 VSS = PIN 8, PIN 1, PIN 15 * Consult factory for possible » D » suffix SOIC Case , the Q output low, and the timing capacitor CX completely charged to V DD . When the trigger input A goes from V SS to V DD (while inputs B and Reset are held to V DD ) a valid trigger is recognized, which turns on comparator C1 and NВ­channel transistor N1 . At the same time the output latch is set

Abstract: 4082B
Text: B b b1 D E e e3 F I L Z 1.27 3.3 2.54 0.050 8.5 2.54 15.24 7.1 5.1 0.130 0.100 0.51 1.39 0.5 0.25 20 , /4082B S014 MECHANICAL DATA DIM. MIN. A al a2 b b1 C C1 D E e e3 F G L M S 3.8 4.6 0.5 8.55 5.8 1.27 , mm MIN. A B D d1 d2 E e e3 F G M M1 1.27 1.14 7.37 1.27 5.08 0.38 0.101 0.050 0.045 9.78 8.89 4.2 , DIAGRAM 4073B 4081B 4082B A v00 Q H I H 0 D C b Voo K H G F B D Г€ F ГЊ» 10 , 2 3 7 ГњGbbSlb 3fll HCC/HCF4073B/4081B/4082B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol V dd ‘ Vi l

DD 127 D TRANSISTOR

Abstract: KS58015
Text: D I0 — D I 3 , TEN mA 100 100 Vss 0 .2V dd V dd V dd = 3V, V0 = 0.5, TEN = LOW , Colum n to Row dBcR V dd = 3V, RL = 5 K ГѓВЌ ГѓВЌ TH D (Dual Tone) TH D 1 M Hz Bandwidth, V Dd = 5V, R l = 5 K il ts T (OSC) D ata S et-up Tim e V mA 2 2 HA dBV 3 dB , HA K£i 0 .8V dd D I0 — D I 3 , TEN Vo (TONE) Unit 8.0 V dd = 3.0V, M UTE Open , 4 mS t s u (DATA) V dd = 3.0V 200 nS D ata Hold Tim e t H (DATA) V dd = 3.0V

Читать еще:  Акриловые краски по дереву для декора
2002 — HCF4511BE

Abstract: bcd to seven segment circuit diagram HCF4511BEY seven segment display cathode HCF4511B HCF4511BM1 HCF4511M013TR PO13H Common-cathode 7-segment LED display
Text: n-p-n bipolar transistor output devices on a single monolithic structure. This device combines the low , transistor capable of sourcing up to 25mA. This capability allows HCF4511B to drive LEDs and other displays , SYMBOL 7, 1, 2, 6 13, 12, 11, 10, 9, 15, 14 3 4 A, B, C, D 5 8 16 FUNCTIONAL DIAGRAM , Supply Voltage HCF4511B LOGIC DIAGRAM TRUTH TABLE LE BL LT D C B A a b c d e f g DISPLAY X X L L L L L X L H H H H H L H H H H H

transistor DD 127 D

Abstract: DD 127 D TRANSISTOR
Text: AND 25 °C . NOISE MARGIN (FULL PACKAGE TEMPERA­ TURE RANGE): 1V AT V dd = 5V, 2V AT V dd = 10V, 2.5V AT V dd = 15V F (Ceramic Package) M1 (Micro Package) APPLICATIONS: . KEYBOARD ENCODING , tied low. 1 5 DESCRIPTION [ [ 3 14 ] D 7 [ 4 13 1 3 8 [ 5 12 ] 2 c [ 6 11 ] B [ 7 10 3 9 8 9 3 A Vss [ 3 V dd o , RATING Parameter Symbol Vd d * Vi li P lo t Value -0.5 to +20 -0.5 to +18 Supply

Abstract: No abstract text available
Text: b b1 D E e e3 F I L Z 1.27 3.3 2.54 0.050 8.5 2.54 15.24 7.1 5.1 0.130 0.100 0.51 1.39 0.5 0.25 20 , DIM. MIN. A B D d1 d2 E e e3 F G M M1 1.27 1.14 7.37 1.27 5.08 0.38 0.101 0.050 0.045 9.78 8.89 4.2 , » r = 7 T# S G S -T H O M S O N В« M ilL IO r a W D O i K g i S S TM g HCF4007UB DUAL CO , Carrier) O R D ER CODES : HCC4007UBF HCF4007UBM1 HCF4007UBEY HCF4007UBC1 PIN CONNECTIONS Q2( p , . The transistor elements are accessible throughthe package terminals to provide a conveni ent means for

DD 127 D TRANSISTOR

Abstract: No abstract text available
Text: MECHANICAL DATA DIM. MIN. A al a2 b bl C c1 D E e e3 F G L M S 3.8 4.6 0.5 8.55 5.8 1.27 7.62 4.0 5.3 1.27 , rZ 7 Г‹ S G S -T H O M S O N [RfflD(g[EВ®[l[LIВ©TriВ®K] D В©i HCC/HCF4068B 8-INPUT NAND , 7^2^23? 00fc>b47b ^75 S 182)0 1/10 HCC/HCF4068B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol V dd * Vi h , ) Total Power Dissipation (per package) Dissipation per Output Transistor for Top = Full , to + 18 — 0.5 to V dd + 0.5 В± 10 200 100 — 55 to + 125 — 40 to + 85 — 65 to + 150 Unit V V V mA mW

Abstract: HCC4015B HCC4015BF HCF4015BC1 HCF4015BEY HCF4015BM1 HCF4015BE
Text: /HCF4015B FUNCTIONAL DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol V DD * Parameter Unit В­ 0.5 to + 20 В­ 0.5 to + 18 V V В­ 0.5 to V DD + 0.5 Supply Voltage : HC C Types H CF Types Value , Dissipation (per package) Dissipation per Output Transistor for T o p = Full Package-temperature Range , voltage. RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Symbol V DD VI Top 2/12 Parameter Supply Voltage , 3 to 18 3 to 15 V V 0 to V DD V В­ 55 to + 125 В­ 40 to + 85 В°C В°C HCC/HCF4015B

1994 — HCF4502BC1

Abstract: HCF4502BEY HCF4502BM1 4502B HCC4502B HCC4502BF HCF4502B
Text: MAXIMUM RATINGS Symbol V DD * Parameter Value В­ 0.5 to + 20 В­ 0.5 to + 18 V V В­ 0.5 to V DD + 0.5 Supply Voltage : HC C Types H C F Types Unit V Vi Input Voltage II DC , Output Transistor for T o p = Full Package-temperature Range 200 mW 100 mW Pt ot Top , Symbol Parameter Value 3 to + 18 3 to + 15 Supply Voltage : HC C Types H CF Types V DD VI , = low 2/11 V V 0 to V DD Operating Temperature : HCC Types H CF Types Top Unit

Abstract: HCC4502B HCC4502BF HCF4502B HCF4502BC1 HCF4502BEY HCF4502BM1
Text: MAXIMUM RATINGS Symbol V DD * Parameter Value В­ 0.5 to + 20 В­ 0.5 to + 18 V V В­ 0.5 to V DD + 0.5 Supply Voltage : HC C Types H C F Types Unit V Vi Input Voltage II DC , Output Transistor for T o p = Full Package-temperature Range 200 mW 100 mW Pt ot Top , Symbol Parameter Value 3 to + 18 3 to + 15 Supply Voltage : HC C Types H CF Types V DD VI , = low 2/11 V V 0 to V DD Operating Temperature : HCC Types H CF Types Top Unit

1994 — HCC4015B

Abstract: HCC4015BF HCF4015B HCF4015BC1 HCF4015BEY HCF4015BM1 DD 127 D transistor
Text: /HCF4015B FUNCTIONAL DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol V DD * Parameter Unit В­ 0.5 to + 20 В­ 0.5 to + 18 V V В­ 0.5 to V DD + 0.5 Supply Voltage : HC C Types H CF Types Value , Dissipation (per package) Dissipation per Output Transistor for T o p = Full Package-temperature Range , voltage. RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Symbol V DD VI Top 2/12 Parameter Supply Voltage , 3 to 18 3 to 15 V V 0 to V DD V В­ 55 to + 125 В­ 40 to + 85 В°C В°C HCC/HCF4015B

Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: N D ITIO N S Symbol V dd Vi Top Parameter Supply Voltage : HCC Types HCF Types Input Voltage , .2 V min. with V dd = 10 V , 2.5 Vm in. with V d d = 15V. /= 7 SCS-THOMSON * 7# Dil6 ROBLB61fR , b1 D E e e3 F I L Z 1.27 3.3 2.54 0.050 8.5 2.54 15.24 7.1 5.1 0.130 0.100 0.51 1.39 0.5 0.25 20 , 0.46 0.25 c1 D 8.55 5.8 1.27 7.62 3.8 4.6 0.5 8.75 6.2 0.336 0.228 0.050 0.300 0.344 , PLCC20 MECHANICAL DATA mm MIN. A B D d1 d2 E e e3 F G M M1 1.27 1.14 7.37 1.27 5.08 0.38 0.101 0.050

Читать еще:  Ceresit cn 175 инструкция по применению
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: : 1Vm in. with V dd — 5V, 2Vm in.with Vdd — 10V, 2.5 V m in. with Vdd — 15V. 4/13 ^7# D D bbn? iS , mm MIN. A B D d1 d2 E e e3 F G M M1 1.27 1.14 7.37 1.27 5.08 0.38 0.101 0.050 0.045 9.78 8.89 4.2 , MEDIUM SPEED OPERATION : t p m = t p L H = 60ns (typ.) AT C l = 50pF, V d d = 10V . STANDARDIZED , HCF4019BEY HCF4019BC1 PIN C O N N E C T IO N S 34 A3 a [ 1 [2 [ 3 1v D B 1 9] A4 1 16 , MAXIMUM RATINGS Symbol V dd * Vi li P lo t Parameter Supply Voltage : HCC Types HCF Types Input

2005 — LM7805 smd 8 pin

Abstract: LM7805 smd smd lm7805 LM7805 M SMD SMD package marking ab l16 JX900 LM7805 LM7805 05 C5 MARKING TRANSISTOR infinion fet
Text: PTF080101M High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 В­ 960 MHz Description The , Symbol Min Typ Max Unit Gain Gps 16 — — dB Drain Efficiency D 35 , jX 860 Z Source R 840 D 2.13 4.47 7.91 7.43 4 of 8 Rev. 02 , BCP56 V DD C2 0.001ВµF C3 0.001ВµF R4 2K V R5 10 V R6 5.1KV C4 10ВµF 35V C5 0.1ВµF , LDMOS Transistor Rogers TMM4 2 oz. copper Dimensions: L x W (mm) Dimensions: L x W (in

HCF40107BE

Abstract: triac b 978 ey so8 HCF40107BM1 HCF40107BEY HCF40107BC1 HCF40107B HCC40107BF HCC40107B 40107B
Text: buffers with open-drain single n-channel transistor outputs. This device features a wired-OR capability , Dissipation (per package) Dissipation per Output Transistor for Top = full package-temperature Range 200 , . RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Symbol V DD VI Top 2/14 Parameter Supply Voltage : H CC Types H C , to 15 V V 0 to V DD V В­ 55 to + 125 В­ 40 to + 85 В°C В°C HCC/HCF40107B SCHEMATIC , Symbol Parameter VO (V) Value |I O | V D D T L o w* 25 В°C T Hi g h * (ВµA) (V) Min. Max

2009 — LM7805 smd 8 pin

Abstract: smd transistor marking l7 SMD package marking ab l16 LM7805 smd PTF080101M LM7805 BCP56 transistor smd marking ND smd lm7805 smd transistor marking C14
Text: PTF080101M High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 В­ 960 MHz Description The , Symbol Min Typ Max Unit Gain Gps 16 — — dB Drain Efficiency D 35 , R 900 Z Load jX 880 Z Source R 860 D 2.13 4.47 7.91 7.43 4 of , V QQ1 LM7805 Q1 BCP56 V DD C2 0.001ВµF C3 0.001ВµF R4 2K V R5 10 V R6 5.1KV , 0.028 0.100 0.070 0.016 LDMOS Transistor Rogers TMM4 2 oz. copper Dimensions: L x W (mm

1994 — triac b 978

Abstract: HCF40107BM1 P013M HCF40107BEY HCF40107BC1 HCF40107B HCC40107BF HCC40107B 40107B TOP214
Text: buffers with open-drain single n-channel transistor outputs. This device features a wired-OR capability , Dissipation (per package) Dissipation per Output Transistor for Top = full package-temperature Range 200 , . RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Symbol V DD VI Top 2/14 Parameter Supply Voltage : H CC Types H C , to 15 V V 0 to V DD V В­ 55 to + 125 В­ 40 to + 85 В°C В°C HCC/HCF40107B SCHEMATIC , Symbol Parameter VO (V) Value |I O | V D D T L o w* 25 В°C T Hi g h * (ВµA) (V) Min. Max

Abstract: hcf4001b 14044B LATCH-4043B HCF4069UB
Text: device. T h e N o is e M argin for both «1» an d «0» level is : 1 V m in. w ith V dd — 5 V , 2 V m in. with V dd В» 1 0V , 2 .5 V min. w ith V d d = 15V . _ ^71 rZ 7 , both «1» an d «0» level is : 1V m in. with V dd = 5 V , 2 V m in. w ith V dd = 1 0V , 2 .5 V m in. with , Plastic DIPI 6 (0.25) MECHANICAL DATA mm MIN. a1 B b b1 D E e e3 F I L Z 3.3 1.27 8.5 2.54 17.78 7.1 5.1 , MIN. A B D E e3 F G H L M N P Q 7.8 2.29 0.4 1.17 0.22 0.51 0.38 17.78 2.79 0.55 1.52 0.31 1.27 10.3

1994 — HCF4093BE

Abstract: HCF4093B HCF4093BC1 HCC4093B HCC4093BF HCF4093BEY HCF4093BM1 HCF4093 hcf4093bc
Text: Symbol V DD * Parameter Value Unit В­ 0.5 to + 20 В­ 0.5 to + 18 V V В­ 0.5 to V DD + , Transistor for T o p = Full Package-temperature Range 200 mW 100 mW T op Operating , Symbol V DD VI Top 2/13 Parameter Supply Voltage : HC C Types H CF Types Input Voltage Operating Temperature : HCC Types H CF Types Value Unit 3 to 18 3 to 15 V V 0 to V DD V , HCC Types HCF Types a b * * Test Conditions VO |I O | V D D VI (V) (V) (ВµA) (V) 0

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector