D880 транзистор характеристики и его российские аналоги

D880 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор D880 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: D880

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO220

D880 Datasheet (PDF)

1.1. pmd880.pdf Size:129K _upd

PMD880 NPN SILICON TRIPLE DIFFSUED TRANSISTOR …designed for audio frequency power amplifier applications. TO-220AB MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 °C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 60 V Collector Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current IC 3 A Base Current IB 0.5 A Collector Power Dissipation Ta = 25 °C Pc 1.5 W Colle

1.2. ksd880.pdf Size:59K _fairchild_semi

KSD880 Low Frequency Power Amplifier � Complement to KSB834 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.3 A PC Collector Dissip

1.3. 2sd880.pdf Size:149K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD880 NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD880 is designed for audio frequency power amplifier applications. FEATURES * High DC Current Gain: hFE=200(Max.)(VCE=5V, IC=0.5A) * Low Saturation Voltage: VCE(SAT)=1.0V(Max.)(IC=3A, IB=0.3A) * High Power Dissipation: PC=30W (TC=25°C) * Complementary to 2SB834 O

1.4. 2sd880.pdf Size:131K _mospec

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CSD880 TO-220 Audio Frequency Power Amplifier Applications. Complementary CSB834 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current

1.6. 2sd880.pdf Size:92K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD880 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB834 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for use in audio frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=

1.7. 2sd880.pdf Size:258K _lge

2SD880(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features Low frequency power amplifier Complement to 2SB834 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Dimensions in inches and (millimeters) VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Cu

1.8. 2sd880.pdf Size:516K _wietron

2SD880 NPN Silicon Epitaxial Power Transistor P b Lead(Pb)-Free COLLECTOR 2 1 BASE 2 FEATURES: 3 1 * Low frequency power amplifier 1. BASE 2. COLLECTOR * Complement to 2SB834 3. EMITTER 3 TO-220 EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Vol

1.9. hed880.pdf Size:72K _shantou-huashan

N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HED880 █ APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220AB Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55

150℃ Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 150℃ PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）�

1.10. hd880.pdf Size:151K _shantou-huashan

N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HD880 █ APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220 Tstg——Storage Temperature………………………… -55

150℃ Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）……�

1.11. d880.pdf Size:118K _jdsemi

R D880 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Charger、Emergency lamp and Electric toy control circuit 2． 2． 2．FEATURES 2．

1.12. ftd880.pdf Size:210K _first_silicon

SEMICONDUCTOR FTD880 TECHNICAL DATA FTD880 TRANSISTOR (NPN) A O FEATURES C F Low Frequency Power Amplifier E Complement to FTB834 B DIM MILLIMETERS A 10.15 ± 0.15 B 15.30 MAX C 1.3+0.1/-0.15 P D 0.8 ± 0.1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) E 3.8 ± 0.2 F 2.7 ± 0.2 J H 0.4 ± 0.15 Symbol Parameter Value Unit D J 13.6 ± 0.2 N 2.54 ± 0.2 H N

Транзистор D882

По техническим характеристикам биполярный транзистор d882 является мощным высокочастотный устройством, изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии. Предназначен для применения в ключевых и линейных схемах, приборах широкого назначения. Имеет n-p-n структуру. Отличается высоким значением пропускаемого постоянного коллекторного тока (до 3 А) и низкими порогами напряжения насыщения.

Распиновка

Цоколевка транзистор d882 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-126. Европейская компания STMicroelectronics выпускает его в похожей по параметрам фирменной упаковке с наименованием SOT-32. Слева на право: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Многие производители выпускают D882 в корпусе для поверхностного монтажа на плату (SMD) — SOT-89. Распиновки их имеет зеркальный вариант, слева на право — БКЭ.

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

• напряжение между: К-Б — V_CBO (U_кбmax) до 40 В; К-Е — V_CEO (U_кэmax) до 30 В;Э-Б — V_EBO (U_эбmax) до 6 В;
• коллекторный ток: постоянный I_C (I_кmax) = 3 А; переменный, при t_P о С;
• температура кристалла T_J до 150 о С.

У разных производителей отдельные величины немного отличатся от приведенных в этой статье.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 о С.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Комплементарная пара

Рекомендуемая комплементарная пара — транзистор 2SB772, имеющий противоположную структуру p-n-p.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25 О С рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150 О С падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Полными зарубежными аналогами у D882 являются:2sD882, 2SC1368. В качестве замены можно так же рассмотреть похожие по своим свойствам устройства: BD437, KTD882, HSD882S, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, BDX37, KSD882, KSH882, MJE222, MJE225, MJE242, MJE244. В некоторых случаях можно рекомендовать хорошую альтернативу от белорусского предприятия “Интеграл” — КТ815 или достаточно редкий КТ9177А . Стоит признать, что полноценного (отечественного) российского аналога для рассмотренного транзистора нет.

Производители

На международном рынке распространены транзисторы D882 изготовленные следующими компаниями: Jiangsu Changjiang Electronics Technнology, SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, Shike Electronics, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics(STM), Stanson Technology, Nanjing International Group, Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited и другие.

В России наиболее популярны устройства произведенные компаниями: Shenzhen Electronics, STM. Кликнув по ссылке, можно скачать соответствующее техническое описание — DataSheeat.