D38 06 диод характеристики

The Datasheet Archive

Top Results (6)

DIODE D38 06 Datasheets Context Search

2013 — DIODE D28 06

Abstract: DIODE D38 -06 DIODE D38 06 DIODE D28 DIODE D28 04 10-FZ062TA030FB02-P983D38 p983
Text: 10-FZ062TA030(FB/FB01/FB02/FB03)-P983(D18/D28/ D38 /D48) 10-F0062TA030(FB/FB03)-P983(D19/D49 , Diode Repetitive peak reverse voltage VRRM Surge forward current IF Tj=Tjmax tp , Diode 35 A2s 40 W 150 °C 800 V Input Rectifier Thyristor Repetitive peak , (D18/D28/ D38 /D48) 10-F0062TA030(FB/FB03)-P983(D19/D49) preliminary datasheet Maximum Ratings Tj , Tjmax 150 °C 600 V Maximum Junction Temperature W C.T. Inverse diode Peak

2007 — DIODE D38 -06

Abstract: BSR202N GPS09473 HLG09474 L6327 gs 106
Text: E AS I D=3.8 A, R GS=25 30 mJ Reverse diode dv /dt dv /dt I D=3.8 A, V DS=16 V , 7.6 V GS=0 V, V DS=10 V, f =1 MHz V DD=10 V, V GS=4.5 V, I D=3.8 A, R G=6 pF ns Gate Charge Characteristics V DD=10 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 4.5 V nC Reverse Diode Diode continous , (on) V GS=2.5 V, I D=3 A — 25 33 m V GS=4.5 V, I D=3.8 A — 17 21 17 — Transconductance Rev. 1.06 g fs |V DS|>2|I D|R DS(on)max, I D=3.8 A page 2 S 2009-02-11

2007 — DIODE D38 -06

Abstract: DIODE D38 06
Text: =25 В°C T A=70 В°C Pulsed drain current Avalanche energy, single pulse Reverse diode dv /dt Gate source , category; DIN IEC 68-1 I D,pulse E AS dv /dt T A=25 В°C I D=3.8 A, R GS=25 I D=3.8 A, V DS=16 V, di /dt , D=3 A V GS=4.5 V, I D=3.8 A Transconductance g fs |V DS|>2|I D|R DS(on)max, I D=3.8 A , Characteristics Gate to source charge Gate to drain charge Gate charge total Gate plateau voltage Reverse Diode Diode continous forward current Diode pulse current Diode forward voltage Reverse recovery time Reverse

Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: D,pulse T A=25 °C Avalanche energy, single pulse E AS I D=3.8 A, R GS=25 ГЋВ© 30 mJ Reverse diode dv /dt dv /dt I D=3.8 A, V DS=16 V, di /dt =200 A/µs, T j,max=150 °C 6 kV , Characteristics V DD=10 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 4.5 V nC Reverse Diode Diode continous forward current , 25 33 mГЋВ© V GS=4.5 V, I D=3.8 A — 17 21 17 — Transconductance Rev. 1.09 g fs |V DS|>2|I D|R DS(on)max, I D=3.8 A page 2 S 2012-07-31 BSR202N Parameter

2007 — BSR202N

Abstract: GPS09473 HLG09474 L6327 DIODE D38 -06 DIODE D38 06
Text: E AS I D=3.8 A, R GS=25 30 mJ Reverse diode dv /dt dv /dt I D=3.8 A, V DS=16 V , 7.6 V GS=0 V, V DS=10 V, f =1 MHz V DD=10 V, V GS=4.5 V, I D=3.8 A, R G=6 pF ns Gate Charge Characteristics V DD=10 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 4.5 V nC Reverse Diode Diode continous , (on) V GS=2.5 V, I D=3 A — 25 33 m V GS=4.5 V, I D=3.8 A — 17 21 17 — Transconductance Rev. 1.07 g fs |V DS|>2|I D|R DS(on)max, I D=3.8 A page 2 S 2010-03-25

2007 — DIODE D38 06

Abstract: MARKING LAS
Text: Conditions ID T A=25 В°C T A=25 В°C Pulsed drain current Avalanche energy, single pulse Reverse diode d v /dt , IEC climatic category; DIN IEC 68-1 I D,pulse E AS dv /dt T A=25 В°C I D=3.8 A, R GS=25 I D=3.8 A, V , , V DS=0 V V GS=2.5 V, I D=3 A V GS=4.5 V, I D=3.8 A Transconductance g fs |V DS|>2|I D|R DS(on)max, I D=3.8 A Drain-source breakdown voltage Gate threshold voltage Drain-source leakage current 20 , Reverse Diode Diode continous forward current Diode pulse current Diode forward voltage Reverse recovery

2007 — Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: energy, single pulse E AS I D=3.8 A, R GS=25 Ω 30 mJ Reverse diode dv /dt dv /dt I D=3.8 A, V DS=16 V, di /dt =200 A/µs, T j,max=150 °C 6 kV/µs Gate source voltage V , resistance R DS(on) V GS=2.5 V, I D=3 A — 25 33 mΩ V GS=4.5 V, I D=3.8 A — 17 21 17 — Transconductance Rev. 1.05 g fs |V DS|>2|I D|R DS(on)max, I D=3.8 A , 0.8 1.1 — 14.3 — 7.6 V GS=0 V, V DS=10 V, f =1 MHz V DD=10 V, V GS=4.5 V, I D=3.8

2008 — IPD50R520CP

Abstract: 5r520p JESD22 5R52 DIODE D38 -06
Text: characteristics of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed I F=f(V SD) parameter: V DD , Parameter Continuous diode forward current IS Diode pulse current 2) I S,pulse Reverse diode dv , ) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C — 0.47 0.52 V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C — , =10 V, I D=3.8 A, R G=48.3 ns Gate Charge Characteristics V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V nC Reverse Diode Diode forward voltage V SD Reverse recovery time t rr

2006 — 5R520P

Abstract: IPP50R520CP
Text: T j=25 В°C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current Diode pulse current 2) Reverse diode d v /dt 4) Symbol Conditions IS I S,pulse dv /dt T C=25 В°C Value 3.8 15 15 V/ns , Gate-source leakage current Drain-source on-state resistance I GSS R DS(on) V GS=20 V, V DS=0 V V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C Gate resistance RG f =1 MHz, open drain 500 2.5 3 3.5 , plateau voltage Reverse Diode Diode forward voltage Reverse recovery time Reverse recovery charge Peak

2006 — 5R520P

Abstract: No abstract text available
Text: T j=25 В°C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current Diode pulse current 2) Reverse diode d v /dt 4) Symbol Conditions IS I S,pulse dv /dt T C=25 В°C Value 3.8 15 15 V/ns , Gate-source leakage current Drain-source on-state resistance I GSS R DS(on) V GS=20 V, V DS=0 V V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C Gate resistance RG f =1 MHz, open drain 500 2.5 3 3.5 , plateau voltage Reverse Diode Diode forward voltage Reverse recovery time Reverse recovery charge Peak

2007 — 5R520P

Abstract: IPP50R520CP JESD22
Text: Gate Charge Characteristics V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V nC Reverse Diode Diode , characteristics of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed I F=f(V SD) parameter: V DD , , at T j=25 В°C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current IS Diode pulse current 2) I S,pulse Reverse diode dv /dt 4) dv /dt Parameter Value Symbol , 100 nA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C —

2008 — 5R52

Abstract: 5R520P IPS50R520CP JESD22
Text: characteristics of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed I F=f(V SD) parameter: V DD , IPS50R520CP Maximum ratings, at T j=25 В°C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current IS Diode pulse current 2) I S,pulse Reverse diode dv /dt 4) dv /dt Parameter , =0 V — — 100 nA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C — 0.47 0.52 V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C — 1.20 — f =1 MHz

2006 — 5R520P

Abstract: No abstract text available
Text: diode forward current Diode pulse current 2) Reverse diode d v /dt 4) Symbol Conditions IS I S,pulse dv , DS(on) V GS=20 V, V DS=0 V V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C Gate , drain charge Gate charge total Gate plateau voltage Reverse Diode Diode forward voltage Reverse recovery , 400 V C o(tr) t d(on) tr t d(off) tf V DD=400 V, V GS=10 V, I D=3.8 A, R G=48.3 63 35 14 80 17 ns Q gs Q gd Qg V plateau V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V — 3 5 13 5.2 17 — nC V

2007 — IPA50R520CP

Abstract: JESD22 5R52 5R520P
Text: of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed I F=f(V SD) parameter: V DD parameter , IPA50R520CP Maximum ratings, at T j=25 В°C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current 1) IS Diode pulse current 2) I S,pulse Reverse diode dv /dt 4) dv /dt Parameter , =0 V — — 100 nA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C — 0.47 0.52 V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C — 1.2 — f =1 MHz

2006 — 5R520P

Abstract: DIODE D38 -06
Text: diode forward current 1) Diode pulse current 2) Reverse diode d v /dt 4) Symbol Conditions IS I S,pulse , GSS R DS(on) V GS=20 V, V DS=0 V V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C Gate , drain charge Gate charge total Gate plateau voltage Reverse Diode Diode forward voltage Reverse recovery , , V DS=0 V to 400 V C o(tr) t d(on) tr t d(off) tf V DD=400 V, V GS=10 V, I D=3.8 A, R G=48.3 63 35 14 80 17 ns Q gs Q gd Qg V plateau V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V — 3 5 13 5.2 17

2006 — 5R520P

Abstract: IPD50R520CP
Text: Parameter Continuous diode forward current Diode pulse current 2) Reverse diode d v /dt 4) Parameter Symbol , GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C Gate resistance RG f =1 MHz, open , charge total Gate plateau voltage Reverse Diode Diode forward voltage Reverse recovery time Reverse , (on) tr t d(off) tf V DD=400 V, V GS=10 V, I D=3.8 A, R G=48.3 63 35 14 80 17.0 ns Q gs Q gd Qg V plateau V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V — 3 5 13 5.2 17 — nC V V SD t rr Q rr I

2004 — Q67065-A7014

Abstract: IPI80N06S3L06
Text: Preliminary Data Sheet IPB80N06S3L- 06 IPI80N06S3L- 06 , IPP80N06S3L- 06 OptiMOSВ®-T , A PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Type IPB80N06S3L- 06 IPI80N06S3L- 06 IPP80N06S3L- 06 Package , IPB80N06S3L- 06 IPI80N06S3L- 06 , IPP80N06S3L- 06 Parameter Symbol Conditions min. Thermal characteristics2 , Drain-source on-state resistance I GSS R DS(on) V GS=16 V, V DS=0 V V GS=5 V, I D=38 A V GS=5 V, I D=38 A, SMD , 2005-02-23 Preliminary Data Sheet IPB80N06S3L- 06 IPI80N06S3L- 06 , IPP80N06S3L- 06 Parameter Symbol

2007 — 3N06L06

Abstract: IPI80N06S3L06 ANPS071E IPB80N06S3L-06 IPI80N06S3L-06 IPP80N06S3L-06 PG-TO263-3-2
Text: IPB80N06S3L- 06 IPI80N06S3L- 06 , IPP80N06S3L- 06 OptiMOSВ®-T2 Power-Transistor Product Summary , 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB80N06S3L- 06 PG-TO263-3-2 3N06L06 IPI80N06S3L- 06 PG-TO262-3-1 3N06L06 IPP80N06S3L- 06 PG-TO220-3-1 3N06L06 Maximum ratings, at , 2007-11-07 IPB80N06S3L- 06 IPI80N06S3L- 06 , IPP80N06S3L- 06 Parameter Symbol Values Conditions , Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=5 V, I D=38 A — 8.3 10.4 m V GS=5 V, I D=38

2008 — IPB60R520CP

Abstract: JESD22 SMD TRANSISTOR MARKING Dd 6R520P
Text: =14.7 ns Gate Charge Characteristics V DD=480 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V nC Reverse Diode , of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed I F=f(V SD) parameter: V DD parameter , ratings, at T j=25 В°C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current IS Diode pulse current 2) I S,pulse Reverse diode dv /dt 4) dv /dt Parameter Value Symbol , — 100 nA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C

2007 — Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V nC Reverse Diode Diode forward voltage V SD , reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed I F=f(V SD) parameter: V DD parameter: T j 102 , specified Parameter Continuous diode forward current Value Symbol Conditions IS Unit 3.8 A T C=25 °C Diode pulse current 2) I S,pulse 17 Reverse diode dv /dt 4) dv /dt 15 , resistance R DS(on) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 °C — 0.47 0.52 Ω V GS=10 V, I D=3.8

2004 — 3N06L06

Abstract: SP0000-88004 PG-TO263-3-2 IPP80N06S3L-06 IPI80N06S3L-06 IPB80N06S3L-06 TRANSISTOR SMD MARKING CODE ag SMD MARKING CODE transistor marking CODE R SMD DIODE IPI80N06S3L06
Text: IPB80N06S3L- 06 IPI80N06S3L- 06 , IPP80N06S3L- 06 OptiMOSВ®-T Power-Transistor Product Summary , Package Ordering Code Marking IPB80N06S3L- 06 PG-TO263-3-2 SP0000-88004 3N06L06 IPI80N06S3L- 06 PG-TO262-3-1 SP0000-88002 3N06L06 IPP80N06S3L- 06 PG-TO220-3-1 SP0000 , . 1.0 55/175/56 page 1 2005-09-16 IPB80N06S3L- 06 IPI80N06S3L- 06 , IPP80N06S3L- 06 Parameter , =16 V, V DS=0 V — 1 100 nA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=5 V, I D=38

2007 — IPI60R520CP

Abstract: JESD22 6R520P
Text: Gate Charge Characteristics V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V nC Reverse Diode Diode , ratings, at T j=25 В°C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current IS Diode pulse current 2) I S,pulse Reverse diode dv /dt 4) dv /dt Parameter Value Symbol , 100 nA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C — 0.47 0.52 V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 В°C — 1.3 — f =1 MHz, open drain —

2007 — 6r520

Abstract: No abstract text available
Text: characteristics of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed I F=f(V SD) parameter: V DD , Conditions Unit Continuous diode forward current 2) IS Diode pulse current 3) I S,pulse 17 Reverse diode dv /dt 5) dv /dt 15 V/ns Parameter Symbol Conditions Values Unit 3.8 , ) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 °C — 0.47 0.52 Ω V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 °C , DD=400 V, V GS=10 V, I D=3.8 A, R G=14.7Ω ns Gate Charge Characteristics V DD=400 V, I D=3.8

2007 — 6R520P

Abstract: IPA60R520CP JESD22 mosfet d38
Text: Gate Charge Characteristics V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to 10 V nC Reverse Diode Diode , IPA60R520CP 9 Typ. gate charge 10 Forward characteristics of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A , ratings, at T j=25 В°C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current 2) IS Diode pulse current 3) I S,pulse Reverse diode dv /dt 5) dv /dt Parameter Value Symbol , 100 nA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=25 В°C —

2007 — IPA60R520CP

Abstract: No abstract text available
Text: Forward characteristics of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed I F=f(V SD) parameter , IPA60R520CP Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified Parameter Continuous diode forward current 2) IS Diode pulse current 3) I S,pulse Reverse diode dv /dt 5) dv /dt Parameter , =10 V, I D=3.8 A, T j=25 °C — 0.47 0.52 Ω V GS=10 V, I D=3.8 A, T j=150 °C — , =10 V, I D=3.8 A, R G=14.7Ω ns Gate Charge Characteristics V DD=400 V, I D=3.8 A, V GS=0 to

Диод Шоттки

Обозначение, применение и параметры диодов Шоттки

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной «фишкой» диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода.

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки кроме высокого быстродействия, а, следовательно, малого времени восстановления можно отнести малую ёмкость перехода (барьера), что позволяет повысить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Очень много диодов Шоттки находят своё применение в интегральной микроэлектронике. Выполненные по нано технологии диоды Шоттки входят в состав интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения быстродействия.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (I_F(AV)) – 1 ампер и обратное напряжение (V_RRM) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (V_F) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (Forward voltage drop) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа. Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36, который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения. Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два «дохлых» состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор «подёргивается» и на выходе источников питания периодически то появляются пульсации напряжения, то пропадают.

То есть схема защиты периодически срабатывает, но полной блокировки источника питания при этом не происходит. Диоды Шоттки гарантированно вышли из строя, если радиатор, на котором они установлены, разогрет очень сильно до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно с подозрением на утечку, следует проверить все силовые транзисторы выполняющие функцию ключей и наоборот: после замены ключевых транзисторов проверка вторичных диодов является обязательной процедурой. Всегда необходимо руководствоваться принципом: беда одна не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Сложнее проверить диод с подозрением на «утечку». Если проводить проверку мультиметром DT-830 в режиме «диод», то мы увидим совершенно исправный элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе «20кОм» обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Если же прибор показывает хоть какое-то сопротивление, допустим 3 кОм, то этот диод следует рассматривать как подозрительный и менять на заведомо исправный. Стопроцентную гарантию может дать полная замена диодов Шоттки по шинам питания +3,3V и +5,0V.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

Диод Шоттки

Виды диодов

Диод Шоттки относится к семейству диодов. Выглядит он почти также, как и его собраться, но есть небольшие отличия.

Простой диод выглядит на схемах вот так:

обозначение диода на схеме

Стабилитрон уже обозначается, как диод с “кепочкой”

обозначение стабилитрона на схеме

Диод Шоттки имеет две “кепочки”

обозначение диода шоттки на схеме

Чтобы проще запомнить, можно добавить голову и ножки и представить себе человечка, танцующего ламбаду)

Обратное напряжение диода

Итак, как вы помните, диод пропускает электрический ток только в одном направлении, а в другом направлении блокирует прохождение электрического тока до какого-то критического значения, называемым обратным напряжением диода.

Это значение можно найти в даташите

обратное напряжение диода

Для каждой марки диода оно разное

Если превысить это значение, то произойдет пробой, и диод выйдет из строя.

Падение напряжения на диоде Шоттки

Если же подать прямой ток на диод, то на диоде будет “оседать” напряжение. Это падение напряжения называется прямым падением напряжения на диоде. В даташитах обозначается как V_f , то есть Voltage drop.

прямое падение напряжения на диоде

Если пропустить через такой диод прямой ток, то мощность, которая будет на нем рассеиваться, будет определяться формулой:

V_f – прямое падение напряжение на диоде, В

Поэтому, одним из главных преимуществ диода Шоттки является то, что его прямое падение напряжения намного меньше, чем у простого диода. Следовательно, он будет меньше рассеивать тепло, или простым языком, меньше нагреваться.

Давайте рассмотрим один из примеров. Возьмем диод 1N4007. Его прямое падение напряжения составляет 0,83 Вольт, что типично для простого полупроводникового диода.

падение напряжение на диоде в прямом включении

В настоящий момент через него проходит сила тока, равная 0,5 А. Давайте рассчитаем его рассеиваемую мощность в данный момент. P=0,83 x 0,5 = 0,415 Вт.

Если рассмотреть этот случай через тепловизор, то можно увидеть, что его температура корпуса составила 54,4 градуса по Цельсию.

Теперь давайте проведем тот же самый эксперимент с диодом Шоттки 1N5817. Как вы видите, его прямое падение напряжения составило примерно 0,35 В.

падение напряжения на диоде Шоттки при прямом включении

При прохождении силы тока через диод Шоттки в 0,5 А, мы получим рассеиваемую мощность P=0,5 x 0,35 = 0,175 Вт. При этом тепловизор нам покажет, что температура корпуса уже будет 38,2 градуса.

Следовательно, Шоттки намного эффективнее, чем простой полупроводниковый диод в плане пропускания через себя прямого тока, так как он обладает меньшим падением напряжения, а следовательно, меньше рассеивает тепло в окружающее пространство и меньше нагревается.

Прямое падение напряжения можно также посмотреть и в даташитах. Например, прямое падение напряжения на диоде Шоттки 1N5817 можно найти из графика зависимости прямого тока от падения напряжения на диоде Шоттки

график зависимости прямого тока от напряжения

В нашем случае если следовать графо-аналитическому способу, то мы как раз получаем значение 0,35 В

Диод Шоттки в ВЧ цепях

Также диоды Шоттки обладают быстрой скоростью переключения. Это значит, что мы можем использовать их в высокочастотных (ВЧ) цепях.

Итак, возьмем генератор частоты и выставим синус частотой в 60 Гц

Возьмем диод 1N4007 и диод Шоттки 1N5817. Подключим их по простой схеме однополупериодного выпрямителя

и будем снимать с них показания

Как вы видите, оба они прекрасно справляются со своей задачей по выпрямлению сигнала на частоте в 60 Гц.

Но что будет, если мы увеличим частоту до 300 кГц?

Ого! Диод Шоттки более-менее справляется со своей задачей, что нельзя сказать о простом диоде 1N4007. Простой диод не может справиться со своей задачей не пропускать обратный ток, поэтому на осциллограмме мы видим отрицательный выброс

Отсюда можно сделать вывод: диоды Шоттки рекомендуется использовать в ВЧ цепях.

Обратный ток утечки

Но раз уж диоды Шоттки такие крутые, то почему бы их не использовать везде? Почему мы до сих пор используем простые диоды?

Если мы подключим диод в обратном направлении, то он будет блокировать прохождение электрического тока. Это верно, но не совсем. Очень маленький ток все равно будет проходить через диод. В некоторых случаях это не принимают во внимание. Этот маленький ток называется обратным током утечки. На английский манер это звучит как reverse leakage current.

Он очень мал, но имеет место быть.

Проведем простой опыт. Возьмем лабораторный блок питания, выставим на нем 19 В и подадим это напряжение на диод в обратном направлении

Замеряем ток утечки

обратный ток утечки диода

Как вы видите, его значение составляет 0,1 мкА.

Давайте теперь повторим этот же самый опыт с диодом Шоттки

обратный ток утечки диода Шоттки

Ого, уже почти 20 мкА! Ну да, в некоторых случаях это сущие копейки и ими можно пренебречь. Но есть схемы, где все-таки недопустим такой незначительный ток. Например, в схемах пикового детектора

схема пик детектора

В этом случае эти 20 мкА будут весьма значительны.

Но есть также еще один камень преткновения. С увеличением температуры обратный ток утечки возрастает в разы!

зависимость обратного тока утечки от температуры корпуса диода Шоттки

Поэтому, вы не можете использовать Шоттки везде в схемах.

Но и это еще не все. Обратное напряжение для диодов Шоттки в разы меньше, чем для простых выпрямительных диодов. Это можно также увидеть из даташита. Если для диода 1N4007 обратное напряжение составляет 1000 В

То для диода Шоттки 1N5817 это обратное напряжение уже будет составлять всего-то 20 В

Поэтому, если это напряжение превысит значение, которое описано в даташите, мы в итоге получим:

Применение диодов Шоттки

Диоды Шоттки находят достаточно широкое применение. Их можно найти везде, где требуется минимальное прямое падение напряжения, а также в цепях ВЧ. Чаще всего их можно увидеть в компьютерных блоках питания, а также в импульсных стабилизаторах напряжения.

Также эти диоды нашли применение в солнечных панелях, так как солнечные панели генерируют электрический ток только в светлое время суток. Чтобы в темное время суток не было обратного процесса потребления тока от аккумуляторов, в панели монтируют диоды Шоттки

Шоттки в солнечных панелях

В компьютерной технике чаще всего можно увидеть два диода в одном корпусе

При написании данной статьи использовался материал с этого видео

D38 06 диод характеристики

ДИОДЫ, АНАЛОГИ

Здесь представлена самая большая таблица взаимозаменяемости импортных и отечественных диодов собраных в интернете. Часть 2. Полные и функциональные аналоги диодов. Даташит на каждый диод можно посмотреть введя её название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали можно посмотреть в любом интернет магазине.

1N3064 КД521А
1N3064M КД521А
1N3065 КД521А
1N3067 КД521Г
1N3082 КД205Г
1N3083 КД205Б
1N3121 Д220
1N3184 КД205А
1N3193 КД205Л
1N3194 Д229Л
1N3228 КД105Г
1N3229 КД205А
1N3238 Д229Ж
1N3239 КД205Л
1N3253 КД205Л
1N3254 Д229Л
1N3270 Д246Б
1N3277 КД205Л
1N3278 Д229Л
1N3282 МД218
1N3545 КД205Г
1N3547 Д229Л
1N3600 КД209А
1N3604 КД521А
1N3606 КД521А
1N3607 КД521А
1M3639 КД205Л
1N3640 Д229Л
1N3657 Д246Б
1N3659 КД205Л
1N3748 КД205Г
1N3749 КД205Б
1N3750 КД205Ж
1N3827 КС456А
1N3827A КС456А
1N3873 КД509А
1N3873H КД509А
1N3954 КД509А
1N4001 КД208, КД209, КД226А, КД243А
1N4002 КД243Б
1N4003 КД243В
1N4004 КД243Г
1N4005 КД243Д
1N4006 КД243Е
1N4007 КД243Ж
1N4008 МД3Б
1N4099 КС168А
1N4147 КД503А
1N4148 КД510, КД521А, КД522Б, КД106А
1N4149 КД521А
1N4150 КД522Б, КД106А
1N4153 КД521А
1N4305 КД521А
1N4364 Д229Ж
1N4365 КД205Л
1N4366 Д229К
1N4367 Д229Л
1N4437 Д246
1N4438 КД206В
1M4439 КД210Б
1N4446 КД521А, КД522Б
1N4447 КД521А
1N4448 КД521А
1N4449 КД521А
1N4454 КД521А
1N4531 КД521А
1N4622 КС139А
1N4624 КС147А
1N4655 КС456А
1N4686 КС139А
1N4688 КС147А
1N4734 КС456А
1N4817 КД208А
1N5151 КД521А
1N5209 Д223Б
1N5216 КД205Б
1N5217 КД205Ж
1N5318 КД521А
1N5392 КД208А
1N5393 КД258А
1N5395 КД258Б
1N5397 КД258В
1N5398 КД258Г
1N5399 КД258Д
1N5400 КД280А
1N5401 КД227А, КД280Б
1N5402 КД280В
1N5404 КД280Г
1N5406 КД280Д
1N5407 КД280Е
1N5408 КД280Ж
1N5624 КД257А
1N5720 КД503А
1N5819 КДШ2105В
1P644 Д229В
1P647 Д229Е
1S032 КД205Л
1S034 Д229Л
1S41 КД205Л
1S43 Д229Л
1S101 КД205Л
1S103 Д229Л
1S113 Д229Е
1S148 Д229К
1S162 Д243
1S163 Д245
1S164 Д246
1S165 КД206Б
1S307 Д18
1S313 КД205В
1S314 КД205Б
1S315 КД205А
1S421 Д243
1S423 Д246
1S427 КД210Б
1S473 Д811
1S544 КД210Б
1S558 КД205А
1S559 КД205В
1S1219 КД521Г
1S1220 КД521Г
1S1230 КД205Б
1S1231 КД205А
1S1232 КД205Ж
1S1473 КД521Г
1S1763 КД205Б
1S1943 КД205Б
1S1944 КД205Ж
1T502 КД205Г
1T504 КД205Б
1T505 КД205А
1T506 КД205Ж
20S5 КД205Г
20TQ045 КДШ2965Б
20TQ060 КДШ2965А
24J2 Д223Б
2A04 КД411ЕМ
2A05 КД411ВМ-ДМ
2A06 КД411АМ, БМ, НМ
2T502 КД205Г
2T504 КД205Б
2T505 КД205А
2T506 КД205Ж
3C15 Д303
3T502 КД205Г
4T502 КД205Г
7,00E+01 Д229Ж
7J1 Д229Ж
7J2 КД205Л
75R2B КД205Л
BAS32 КД811А
BAV682 КД811Б
BY296P КД266А
BY297P КД226Б
BY298P КД226В
BY299P КД226Д
DL4148 КД521А, 522Б-SMD
ESP5300 Д245Б
F0100 КД509А
F1E3 Д245Б
F1K3 Д248Б
F2B3 Л242
F2H3 КД206Б
F2M3 КД203Г
F2N3 КД210Б
FD600 КД521А
FDN600 КД521А
FPZ5V6 КС456А
FR101 КД247Е
FR102 КД247А
FR103 КД247Б
FR104 КД247В
FR105 КД247Г
FR106 КД247Д
FR153 КД258А
FR154 КД258Б
FR155 КД258В
FR156 КД258Г
FR157 КД258Д
FR202 КД226А
FR203 КД226Б
FR204 КД226В
FR205 КД226Г
FR206 КД226Д
FR303 КД257А
FR304 КД257Б
FR305 КД257В
FR306 КД257Г
FR307 КД257Д
G65HZ Д248Б
G1010 Д242
G3010 Д245
G4010 Д246
GP15d КД258А
GP15g КД258Б
GP15j КД258В
GP15k КД258Г
GP15m КД258Д
HDS901 КД521Г
HDS9003 КД509А
HMG626A Д220
HMG662 Д220Б
HMG662A Д220Б
HMG663 Д220Б
HMG844 Д220Б
HMG904 КД521Г
HMG904A КД521Г
HMG907 КД521Г
HMG907A КД521Г
HMG2873 КД509А
HMG3064 КД521А
HMG3596 КД521Г
HMG3598 КД521А
HMG3600 КД509А
HMG4150 КД509А
HMG4319 КД521А
HMG4322 КД509А
HR9 Д818А
HS033A КС133А
HS033B КС133А
HS2039 КС139А
HS7033 КС133А
HS9010 КД521Г
HS9501 КД521А
HS9504 КД521А
HS9507 КД521А
JE2 КД205Л
LAC2002 КС147А
LD57C АЛ336В
LDD5 КД521Б
LDD10 КД521Б
LDD15 КД521Б
LDD50 КД521Б
LR33H КС133А
M1B1 КД208А
M1B5 КД208А
M1B9 КД208А
M4HZ Д229Е
M14 Д229В
M68 Д229Ж
M69B КД205Л
M69C КД205Г
M500B КД205Е
M500C КД205А
R604 Д246
R606 КД206В
R612 Д243
R614 Д246
R616 КД206В
RGP10a КД247Е
RGP10b КД247А
RGP10d КД247Б
RGP10g КД247В
RGP10j КД247Г
RGP10k КД247Д
RGP15d КД258А
RGP15g КД258Б
RGP15j КД258В
RHP15k КД258Г
RGP15m КД258Д
RGP30d КД257А
RGP30g КД257Б
RGP20j КД257В
RGP30k КД257Г
RGP30m КД257Д
RL204 КД411ЕМ
RL205 КД411ВМ-ДМ
RL206 КД411АМ, БМ, НМ
RZ18 КС218Ж
RZ22 КС222Ж
RZZ11 КС211Ж
S1,5-0,1 КД208А
S2A-12 Д243
S2E20 КД205Г
S2E60 КД205Ж
S5A1 Д304
S5A2 Д243Б
S5A3 Д245Б
S5A6 Д248Б
S5AN12 КД206Б
S6AN12 КД206В
S7AN12 КД203Г
S8AN12 КД210Б
S15 КД205А
S17 КД205Г
S18 КД205А
S18A КД205А
S19 Д7Ж
S20-06 Д248Б
S23A КД205Ж
S26 Д229К
S28 КД105Г
S30 КД205Ж
S31 КД205В
S83 Д229К
S92A КД205Л
S101 КД205Г
S106 Д7Ж
S205 Д210
S206 Д211
S208 МД217
S210 МД218
S219 Д7Ж
S222 КД205Г
S223 КД205В
S234 КД105Г
S252 КД205Г
S253 КД205В
S256 КД105Ж
S425 КД206В
S427 КД210Б
S65250 КД509А
SD1A КД205Ж
SD11 Д101
SD17Z КД205Г
SD91A Д229Ж
SD92A КД205Л
SD93 Д229К
SE05B КД205Ж
SE05S КД205Г
SE1,5SS КД208А
SFD43 КД521Г
SFD83 КД521Г
SG203E, K Д243Б
SG5200 КД521А
SG5260 КД521А
SJ103E, K Д304
SJ104E, K Д242
SJ204E, K Д243
SL3 Д245Б
SM20 КД205Л
SM230 Д229К
SV131 Д818А
SV134 Д811
SVM91 Д818А
SVM905 Д818А
SVM9010 Д818А
SVM9011 Д818А
SVM9020 Д818А
SVM9021 Д818А
SW05B КД205Ж
SW05S КД205Г
SW1S Д229Ж
SW1SS КД205Л
SZ9 Д818А
SZ11 Д811
TIC106 КУ223И
TF24 Д226В
TK20 КД205Л
TK40 Д229Л
TMD45 Д207
TS1 Д229Ж
TS2 КД205Л
TS4 Д229Л
UR215 Д303
UP12069 КД205Л
UP12070 Д229Л
UP12070A Д229Л
URE100X Д304
URF100X Д304
URG100X Д304
UT112 Д229Ж
UT113 КД205Л
UT114 Д229К
UT115 Д229Л
UT212 Д229К
UT213 Д229Л
XS10 Д229Ж
XS17 КД205Л
Z1550 КС156А
Z1555 КС156А
Z1560 КС156А
Z1565 КС156А
Z1570 КС156А
Z1A5,6 КС156А
Z1A6,8 КС168А
Z1A11 Д811
Z1B5,6 КС156А
Z1B6,8 КС168А
Z1B11 Д811
Z1C5,6 КС156А
Z1C11 Д811
Z1D6,8 КС168А